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特种气体

高纯特种气体有哪些及用途

2016-05-25 08:54:40    出处:泰竽气体有限公司     浏览次数:
      特种气体在现代生活中运用广泛,工厂、医疗、食品、娱乐等都涵盖,下面介绍下特种气体包括些什么:1

1、氮气-N2,纯度要求>99.999%,用作标准气体、在线仪表标准气、校正气、零点气、平衡气;用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、化学气相淀积、离子注入、等离子干刻、光刻,退火 搭接、烧结等工序;电器、食品包装,化学等工业也要用氮气。
2、氧气-O2,>99.995%,用作标准气体、在线仪表标准气体、校正气、零点气;还可用于医疗气,在半导体器件制备工艺中用于热氧化,扩散、化学气相淀积、等离子干刻等工序,以及用于光导纤维的制备。
3、氩气-Ar,>99.999%,用作标准气体、零点气、平衡气;甩于半导体器件制备工艺中晶体生长、热氧化、外延,扩散、氮化,喷射,等离子干刻、载流、退火搭接,烧结等工序;特种混合气与工业混合气也使用氩。
4、氢气-H2,> 99.999%,用作标准气体、零点气、平衡气、校正气、在线仪表标准气; 在半导体器件制备工艺中用于晶体生长,热氧化,外延、扩散、多晶硅、钨化、离子注入、载流、烧结等工序;在化学,冶金等工业中也有用。
5、氦气-He,>99.999% ,用作标准气体、零点气 平衡气,校正气、医疗气、用于半导体器件错备工艺中晶体生长,等离子干刻 载流等工序;另外,特种混合气与工业混台气也常用.
6、氯气-Cl2,>99.86 %,用作标准气体,校正气,用于半导体器件制备工艺中晶体生长、等离子干刻、热氧化等工序;另外,用于水净化,纸浆与纺织品的漂白、工业废品、污水、 游泳池的卫生处理,制备许多化学产品。
7、氟气-F2,>98% 用于半导体器件制备工艺中等离子干刻;另外,用于制备六氟化铀、六氟化硫、三氟化硼和金属氟化物等。
8、氨气-NH3,>99.995%,用作标准气体、校正气、在线仪表标准气;用于半导体器件制备工艺中氮化工序,另外,用于制冷、化肥,石油、采矿、橡胶等工业。
9、氯化氢-HCI,>99.995% ,用作标准气体,用于半导休器件制备工艺中外延、热氧化、扩散等工序;另外,用于橡胶氯氢化反应中的化学中间体、生产乙烯基和烷基氯化物时起氧氯化作用。
10、一氧化氮-N0,>99%,用作标准气体,校正气;用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积工序,制备监控大气污染的标准混合气。
11、二氧化碳-CO2,>99.99% ,用作标准气体、在线仪表标准气体,校正气;用于半导体器件制备工艺中氧化,载流工序,另外,还用于特种混合气、发电,气体置换处理、杀菌气体稀释剂、灭火剂、食品冷冻、金属冷处理 ,饮料充气,烟雾喷射剂,食品贮存保护气等。
12、氧化亚氮-N2O,(即笑气),>99.999% 用作标准气体、医疗气; 用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积、医用麻醉剂、烟雾喷射剂、真空和带压检漏,红外光谱分析仪等也用。
13、硫化氢-H2S,>99.999%,用作标准气体,校正气,用于半导体器件制备工艺中等离子干刻,化学工业中用于制备硫化物,如硫化钠, 硫化有机物;用作溶剂;实验定量分析用。
14、四氯化碳-CCl4,>99.99%,用作标准气体, 用于半导体器件制备工艺中外延,化学气相淀积等工序;另外用作溶剂,有机物的氯化剂,香料的浸出剂,纤维的脱脂剂、灭火剂、分析试剂、制备氯仿和药物等。
15、氰化氢-HCN,>99.9%,用于半导体器件制备工艺中等离子干刻工序;制备氢氰酸溶液;金属氰化物、氰氯化物;也用于制备丙烯腈和丙烯衍生物的合成中间体。
16、碳酰氟-COF2,>99.99% ,用于半导体器件制备工艺中等离子干刻工序;另外;用作氟化剂。
17.碳酰硫-COS,>99.99% ,用作校正气;用于半导体器件制备工艺中离子注入工序; 也用于有些羧基、硫代酸、硫代碳酸盐和噻唑的合成。
18.碘化氢-HI,>99.95% ,用于半导体器件制备工艺中离子注入工序;还用于氢碘酸溶液制备。
19.溴化氢-HBr,>99.9%,用于半导体制备工艺中等离子干刻工序;用作还原剂,制备有机及无机溴化合物。
2O,硅烷-SiH4,>99.999%,电阻率>100Ω /cm2 ,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积等工序。
21.乙硅烷-Si2H6 ,>99.9% ,用于半导体制备工艺中化学气相淀积
22.磷烷-PH3,>99.999% ,用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、化学气
相淀积、离子注入等工序:磷烷与二氧化碳混合的低浓度气体,可用于杀死粮仓的虫卵和制备阻火化合物。
23.砷烷-AsH3,>99.999% ,用于半导体器件制备工艺中外延、扩敷、化学气相淀积、离子注入等工序。
24.硼烷-B2H6 ,>99.995% ,用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、氧化等工序;用于有些化学工业合成过程:如氢硼化反应(即生成醇类),有机功能的衰退,制备较高的硼烷衍生物和碳甲硼烷化合物。
25.锗烷-GeH4 ,>99.999% ,用于半导体器件制备工艺中外延、离子注入工序。
26.锑烷-SbH3 ,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、离子注入工序。
27.四氧甲硅烷-si(OC2H5)4,>99.99‰ 用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积工序。
28.乙烷-C2H6,>99.99%,用作标准气、校正气、在线仪表标准气;用于半导体器件制备工艺中等离子干刻工序;还用于冶金工业的热处理,化学工业中制备乙醇、氧化乙二醇、氯乙烯、高醇类、乙醛等。
29.丙烷-C3H8,>99.99% ,用作标准气、校正气、在线仪表标准气;用于半导体器件制备工艺中等离子干刻工序;另外,用于燃料、冷冻剂、制备乙烯与丙烯的原料。
30.硒化氢-H2Se,>99.999% ,用于半导体器件制备工艺中扩散、离子注入工序.
31.碲化氧-H2Te,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中扩散、离子注入工序.
32.二氯二氢硅-siH2cl2,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序。
33.三氯氢硅-siHCl3,>99.999% ,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序。
34.二甲基碲-(CH3)2Te,>99.999% ,用于半导体器件制备工艺中扩散.离子注入工序。
35.二乙基碲-(C2H5)2Te,>99.999% ,用途同(34)。
36.二甲基锌-(CH6)2Zn,>99.999% ,用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积工序。
37.二乙基锌->99.999% ,用途同(36)。
38.三氯化磷-Pcl3,>99.99% ,用于半导体器件制备工艺中扩散,锗的外延生长和离子注入工艺-PCI 是有机物的良好氯化剂,也用于含磷有机物的合成。
39.三氯化砷- AsCl3,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中的外延和离子注入。
40.三氯化硼-Bcl3,>99.99%,用于等离子干刻、扩散;作硼载气及一些有机反应的催化剂|精炼镁、锌、铝、铜合金时从溶化金属中除掉氮、碳,氧化合物。
41、四氯化硅-SiCl4,>99.999% ,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序。
42、四氯化锡-SnCl4,>99.9% ,用于外延,离子注入。
43、四氯化锗-Gecl4 ,>99.999%,用于离子注入。
44、四氯化钛-TiCl4,>99.99%,用于等离子干刻。
45、五氯化磷-PCl5 ,>99.99%,用于外延、离子注入。
46、五氯化锑-SbCl6 ,>99.99%,用于外延、离子注入。
47、六氯化钼-MoCl6 ,>99.9% ,用于化学气相淀积。
48、三溴化硼-BBr3,>99.99% ,用于半导体器件制备工艺中离子注入工序和制备光导纤维。
49、三溴化磷-PBr3 ,>99.99%,用于外延、离子注入。
50、磷酰氯-POCl3,>99.999%,用于扩散工序。
51、三氟化硼-BF3,>99.99%,用于离子注入,另外,可作载气、某些有机反应的催化剂,精炼镁,锌、铝、铜合金时从熔化金属中除掉氮,氧、碳化物。
52、三氟化磷-PF3,>99% ,用于外延、离子注入工序;另外用作氟化剂。
53、三氟化砷-AsF3,>99.9% ,用途同(12)
54、二氟化氙-xeF2,>99.9% ,用于外延、离子注入工序,用于固定模具氙的考察及原子反应堆排放废气中氙的测定。
55、三氟氯甲烷-(R一13),99.995%,用于等离子干刻工序;冷冻剂、空调均可用。
56、三氟甲烷-CHF3,(R一23),>99.999%, 用于等离子干刻工序;低温冷冻剂。
57、三氟化氮-NF3,>99.99%,用于等离子干刻工序|火箭推进剂、氟化剂。
58、三氟溴甲烷-CBrF3 ,(R13B1),>99.99% ,用于等离子干刻工序;还用于空调、低温冷冻及灭火剂。
59、三氟化硼,>99.99% ,用于离子注入工序;还用于制备光导纤维。
60、四氟化碳- CF4 ,(R一14),>99.99% ,用于等离子干刻工序;在很低温度下作为低温流体用,也用于中性及惰性气体。
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